南韓三星電子示意照。美聯社資料照片
韓國媒體「每日經濟新聞」今天(11/03)引述產業消息報導,三星電子位於美國德州泰勒市(Taylor)的第二座晶圓廠,將為超微(AMD)與輝達(Nvidia)的高頻寬記憶體(HBM)晶片生產基礎晶粒(base die)。
根據「每日經濟新聞」(Maeil Business Newspaper)報導,三星電子(Samsung Electronics)德州二廠預定本月正式動工,目前產能已全數獲得訂單,其中大部分訂單來自超微。
報導指出,二廠將採先進的2奈米製程技術,廠區面積約25.1萬平方公尺,約為三星與特斯拉(Tesla)簽有合約的一廠面積的1.5倍。
報導表示,二廠預計自2029年2月起安裝設備,並於2030年開始量產。