三星前員工爆中國長鑫存儲「起家內幕」：創立之初就無意研發、鎖定竊取三星DRAM技術

南韓三星電子一名前員工，在三星任職28年後跳槽中國長鑫存儲，成為長鑫存儲創始員工之一。他日前在首爾法院作證坦言，如今成為記憶體晶片全球市佔率前5名的長鑫存儲，自創始階段就不打算研發自己的技術，而是要竊取三星的半導體技術。

南韓三大電視台之一「首爾廣播系統」（SBS）、《每日經濟》等媒體上週報導，這名全姓（Jeon）三星前員工8月11日在首爾中央地方法院出庭作證，案件涉及將三星專有的18奈米動態隨機存取記憶體（DRAM）技術洩露給長鑫存儲。

全某4月已遭首爾法院一審判刑7年，罪名為「外洩受國家保護的核心技術」。他本月作證時說：「長鑫存儲2016年成立時，執行長、技術長等高層就試圖利用外洩的三星製程技術製造DRAM。」

他更指出，長鑫存儲創立時並無研發實驗室等設施，完全無意以自身研究獨立研發技術。

全某被控外洩的三星18奈米DRAM製程配方（PRP），記載了DRAM生產過程中600道製程與必要的設備條件。韓聯社先前報導，三星耗時5年、投入1.6兆韓元（約367.5億元台幣）研發出這套技術，而全某當年帶著這套製程，與三星其他員工一起離職，跳槽長鑫存儲。

SBS報導，南韓檢方自2024年1月起調查這樁洩密案，至2025年底結束調查，認定長鑫存儲利用竊得的三星製程技術，於2023年成功量產10奈米DRAM晶片。

包括全某在內，共有10人因「洩露受國家保護的核心技術」遭起訴。

三星可向美國貿易法院提告

分析指出，若全某的證詞獲採納，將為三星未來控告長鑫存儲竊取商業機密提供更有力的證據。若長鑫存儲製造的DRAM晶片，或含有長鑫存儲晶片的產品在美銷售，三星可將南韓犯罪調查與審判中取得的證據提交美國貿易法院（ITC）。

三星顯示公司（Samsung Display）先前也曾針對中國的京東方（BOE）採取類似行動，指控京東方盜用OLED面板技術。美國貿易法院去年已裁定京東方侵害三星顯示的商業機密，建議美國政府禁止進口京東方產品，期限14年8個月。