記憶體股遭血洗! 長鑫存儲傳有重大技術進展 南亞科、華邦電、旺宏跌逾7%

中國記憶體大廠長鑫存儲傳出新一代DRAM技術取得重大進展，計畫2026年底前推出採用「4F²」架構的新型伺服器記憶體產品，全球DRAM產業競爭加劇疑慮大起，不僅美國及韓國記憶體相關股走弱，台股記憶體族群今（10/13）也遭遇賣壓，南亞科、華邦電、旺宏跌幅均超過7%，力積電、群聯也下跌逾5%，成為盤面重災區。

根據《南華早報》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇近日在上海一場產業活動中表示，公司計畫在今年底前推出採用4F²架構的新型伺服器記憶體產品。長鑫存儲指出，相關技術已取得關鍵進展，核心為自主研發的垂直環繞閘極（VSG）電晶體，藉由垂直閘極設計改善漏電問題，並縮小記憶體儲存單元面積，提高單位晶片的儲存密度。

目前主流商用動態隨機存取記憶體（DRAM）多採用6F²儲存單元架構，4F²設計則可進一步縮小單元面積，讓單一晶片整合更多儲存單元。不過，長鑫存儲尚未公布新產品的詳細規格及確切上市時程，相關技術效能與量產進度仍有待後續觀察。

儘管4F²並非長鑫存儲獨有的研發方向，韓國記憶體大廠SK海力士與三星電子也積極探索相關架構。但市場關注，若長鑫存儲順利推進新技術並擴大產能，可能改變DRAM產業競爭格局，尤其在伺服器記憶體需求持續成長之際，中國廠商的技術進展與供給能力，將成為產業競爭的重要變數。

業者先前表示，AI熱潮促使記憶體掀起前所未見的缺貨漲價潮，預估缺貨潮至少可能延續到2027年上半年。不過，相關疑慮已衝擊記憶體及儲存類股表現。

美股週一交易時，全球龍頭美光承壓，儲存裝置廠SanDisk下跌5.9%，希捷科技下跌3.8%，威騰電子下跌2.6%；韓國三星電子股價下跌4.4%，SK海力士相關交易標的也走弱，引爆韓股今天重挫。隨著市場重新評估記憶體產業的競爭態勢，台股記憶體與儲存類股今天同步遭到調節，指標股南亞科、華邦電、旺宏跌幅均出現明顯跌幅。