超越平面微縮極限　台積電CoWoS良率達99%！2029年量產14倍光罩尺寸

AI 對算力與高頻寬的需求無止境，驅動先進封裝技術快速演進。台積電先進封裝技術暨服務副總經理何軍昨日（8/11）在OCP峰會指出，AI先進封裝正朝「橫向做大、垂直做高」雙軌發展。台積電目前已實現5.5倍光罩尺寸CoWoS的大規模量產，良率穩定突破98%至99%，未來將以一年一代的速度推進，目標在2029年邁向14倍光罩尺寸；同時，3D堆疊的SoIC也預計於2029年推進至4.5微米Pitch，實現最先進A14邏輯晶片直接垂直堆疊A14晶片。

台積電預估，2022年至2027年間，SoIC 與 CoWoS 產能的年複合成長率將分別超過90%與80%。何軍強調，平面微縮已不足以應對功耗瓶頸，資料傳輸耗能占比大幅提升。SoIC 透過3D垂直堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，相較傳統封裝可提供超過50倍的互連密度及約5倍的電源效率，顯著降低 Die-to-Die 傳輸功耗。

為克服單一晶片的光罩尺寸限制與成本效益，小晶片（Chiplet）架構已成主流。何軍幽默形容自己管理矽晶圓與封裝製造，就像經營「全球最大的線上交友服務」，利用演算法替每顆晶粒配對最適合的「靈魂伴侶」，提升封裝後的效能一致性與整體良率。此外，未來中介層（Interposer）也將整合主動橋接（Active Bridge）、電壓調節器（IVR）與矽電容，轉型為系統級平台，而矽光子技術亦將成為光電整合的下一階段重點。

何軍笑稱，自己從1990年代就投入封裝領域，沒想過 CoWoS 會成為台灣家喻戶曉的名詞，如今自我介紹只需簡單說「我就是那個搞CoWoS的人」。面對 AI 逐漸從資料中心延伸至手機、車用與機器人等終端裝置，台積電將持續深化晶片、封裝與系統端的共同最佳化，支撐下一世代 AI 的技術演化。